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              分子束外延電子束蒸發源

              • 單口電子束豎直蒸發源-EBVV
              • 單口電子束豎直蒸發源-EBVV
              單口電子束豎直蒸發源-EBVV單口電子束豎直蒸發源-EBVV

              單口電子束豎直蒸發源-EBVV

              • 型號:EBVV
              • 坩堝容量:4/5 cc
              • 產品描述:單口電子束豎直蒸發源-EBVV是為豎直向預留法蘭口的超高真空生長設備而設計,適合蒸發低蒸氣壓材料,難熔金屬或摻雜,如P,C等;以及高介電材料Al2O3,Pr3O3或者其他氧化物,電介質。EBVV也可以滿足Si薄膜生長,為了保證高純度的Si生長,電子束蒸發源的所有部分采用高純的單晶硅制作,保證生長時Si薄膜不受任何污染。
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              單口電子束豎直蒸發源EBVV是為豎直向預留法蘭口的超高真空設備而設計,可以滿足豎直安裝。非常適合低蒸氣壓材料,難熔金屬或摻雜,如P,C等;以及新興的高介電材料Al2O3,Pr3O3或者其他氧化物,電介質,也可以滿足Si薄膜生長。


              特點:

              法蘭尺寸:CF63/CF100

              坩堝容量:4/5 cc

              真空腔體內長度:234~400mm

              加熱口尺寸:?22mm (15° 錐角) x H 15mm ,?23mm (12°錐角) x H 15mm

              外部烘烤溫度:200℃

              束斑尺寸:直徑約5mm

              束流偏轉:270°磁場偏轉

              水冷:5l/min,壓力約4bar

              選配:擋板



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