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            分子束外延系統

            • 氧化物MBE系統-OCTOPLUS-O 400
            氧化物MBE系統-OCTOPLUS-O 400

            氧化物MBE系統-OCTOPLUS-O 400

            • 產品型號:OCTOPLUS-O 400
            • 產品描述:OCTOPLUS-O 400是專門為氧化物薄膜生長設計的MBE系統。利用差分抽氣的原理使得加熱源可以在氧氣或者臭氧環境下生長氧化物薄膜。適用于2英寸晶圓及2英寸以下小尺寸樣品。豎直分割式腔體設計,可以裝配各種源爐,實現不同材料分子束外延生長。
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            OCTOPLUS-O 400是專門為氧化物薄膜生長設計的MBE系統。利用差分抽氣的原理使得加熱源可以在氧氣或者臭氧環境下生長氧化物薄膜。適用于2英寸晶圓及2英寸以下小尺寸樣品。豎直分割式腔體設計,可以裝配各種源爐,實現不同材料分子束外延生長。


            系統特點:

            ● 強差分抽氣,雙氣壓區設計

            ● 高溫下耐臭氧的SiC樣品加熱器

            ● 靠近樣品臺設計的臭氧噴氣環

            ● 濃縮或者非濃縮臭氧源

            ● 原位生長表征

            ● 可伸縮式源爐設計,不破壞真空換料

            ● 9個MBE蒸發源CF法蘭口,可選配額外3個

            ● 可兼容多坩堝式電子束蒸發


            我們可以根據所有客戶的要求,提供不同種類的蒸發源,包括K-cell、電子束蒸發源、熱裂解源、閥式裂解源、氣體裂解源等??梢允褂檬⒕д?,反射式高能電子衍射儀(RHEED)或者四極桿質譜儀實現樣品生長的原位監測。


            OCTOPLUS-O 400的設計說明:


            區域1(藍色)

            ● 氧化物生長區

            ● O2和O3的局域高壓

            ● 靠近樣品臺的臭氧噴環,噴環與樣品之間距離可調

            ● 較低的臭氧消耗

            ● 高溫下耐臭氧的SiC加熱器

            ● 強差分抽氣

            區域2(黃色)

            ● 蒸發源區

            ● 通向區域1的開放小孔形成的低壓區

            ● 獨立的分子泵

            ● 明顯低于區域1的氣壓

            ● 限量通過式隔板

            ● 無需獨立地對每個蒸發源進行差分抽氣

            ● 可集成多坩堝的電子束蒸發


            如有設備需求或技術咨詢歡迎隨時聯系我們。


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