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    分子束外延電子束蒸發源

    • 多坩堝水平安裝電子束蒸發源-EBVM
    • 多坩堝水平安裝電子束蒸發源-EBVM
    多坩堝水平安裝電子束蒸發源-EBVM多坩堝水平安裝電子束蒸發源-EBVM

    多坩堝水平安裝電子束蒸發源-EBVM

    • 型號:EBVM
    • 產品描述:多坩堝水平安裝電子束蒸發源-EBVM是為高蒸發速率的低蒸氣壓材料設計的,尤其是高純材料以及難熔材料,如Mo,Nb,Ta,W,Zr,Al,及半導體材料Si和Ge,典型應用于Si-Ge的MBE系統。
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    多坩堝水平安裝電子束蒸發源-EBVM是為高蒸發速率的低蒸氣壓材料設計的,尤其是高純材料以及難熔材料,如Mo,Nb,Ta,W,Zr,Al,及半導體材料Si和Ge,典型應用于SiGe的MBE系統。

    特點:

    法蘭尺寸:CF200/CF250

    腔體內直徑:195mm/245mm

    腔體內長度:對于4個8cc坩堝和3個15cc坩堝:250mm; 對于6個8cc坩堝:330mm; 對于6個15cc坩堝:350mm

    坩堝容量:8cc, 15cc

    加熱區域:直徑30mm(15°傾角)×15mm深度,直徑37mm(15°傾角)×17mm深度

    燈絲類型:W螺旋線圈,電子發射燈絲

    外部烘烤溫度:200℃

    工作氣壓:1×10-11mbar~1×10-5mbar

    加速電壓:4-10kV

    電子束功率:最高6kW(3kW,根據電源功率)

    燈絲電流:最高50A

    束斑尺寸:直徑約5mm

    電子束發射方式:磁場偏轉270°

    束斑偏轉:x方向±3A,y方向±3A

    冷卻方式:循環水冷卻,水流量6l/min,壓力3bar

    選配:水冷屏,擋板


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