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            分子束外延電子束蒸發源

            • 多坩堝水平安裝電子束蒸發源-EBVM
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            多坩堝水平安裝電子束蒸發源-EBVM多坩堝水平安裝電子束蒸發源-EBVM

            多坩堝水平安裝電子束蒸發源-EBVM

            • 型號:EBVM
            • 產品描述:多坩堝水平安裝電子束蒸發源-EBVM是為高蒸發速率的低蒸氣壓材料設計的,尤其是高純材料以及難熔材料,如Mo,Nb,Ta,W,Zr,Al,及半導體材料Si和Ge,典型應用于Si-Ge的MBE系統。
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            多坩堝水平安裝電子束蒸發源-EBVM是為高蒸發速率的低蒸氣壓材料設計的,尤其是高純材料以及難熔材料,如Mo,Nb,Ta,W,Zr,Al,及半導體材料Si和Ge,典型應用于SiGe的MBE系統。

            特點:

            法蘭尺寸:CF200/CF250

            腔體內直徑:195mm/245mm

            腔體內長度:對于4個8cc坩堝和3個15cc坩堝:250mm; 對于6個8cc坩堝:330mm; 對于6個15cc坩堝:350mm

            坩堝容量:8cc, 15cc

            加熱區域:直徑30mm(15°傾角)×15mm深度,直徑37mm(15°傾角)×17mm深度

            燈絲類型:W螺旋線圈,電子發射燈絲

            外部烘烤溫度:200℃

            工作氣壓:1×10-11mbar~1×10-5mbar

            加速電壓:4-10kV

            電子束功率:最高6kW(3kW,根據電源功率)

            燈絲電流:最高50A

            束斑尺寸:直徑約5mm

            電子束發射方式:磁場偏轉270°

            束斑偏轉:x方向±3A,y方向±3A

            冷卻方式:循環水冷卻,水流量6l/min,壓力3bar

            選配:水冷屏,擋板


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