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              脈沖激光沉積系統

              • 脈沖激光沉積/激光分子束外延系統
              • 脈沖激光沉積/激光分子束外延系統
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              脈沖激光沉積/激光分子束外延系統

              • PLD
              • LMBE
              • 產品描述:荷蘭TSST公司提供專業的脈沖激光沉積系統和激光分子束外延系統。
              • 在線訂購

              荷蘭Twente Solid State Technology BV(TSST)公司專注于為用戶提供定制化的脈沖激光沉積系統(PLD),以及相關薄膜制備解決方案,公司具有20多年研究與生產脈沖激光沉積系統的經驗。

              TSST與世界最大的納米與微系統技術研究中心之一荷蘭Twente大學MESA+ Institute保持著密切合作,開發出各種脈沖激光沉積技術中需要使用的核心技術。

              脈沖激光沉積原理:在真空環境下利用脈沖激光對靶材表面進行轟擊,利用激光產生的局域熱量將靶材物質轟擊出來,再沉積在不同的襯底上,從而形成薄膜。

              PLD工作原理圖

              激光分子束外延系統(LMBE),是在PLD的基礎上發展起來的外延薄膜生長技術。

              在高氧氣壓力環境下實現RHEED原位監控,曾是RHEED分析的一個重要難題,TSST第一個提出差分抽氣的方式實現高壓環境下RHEED原位監控---TorrRHEED,TSST是TorrRHEED的發明人,在系統制造和RHEED的使用,以及結果分析方面,有豐富的經驗。

              標準激光分子束外延系統 (LMBE)


              脈沖激光沉積技術適合做的薄膜包括各種多元氧化物,氮化物,硫化物薄膜,金屬薄膜,磁性材料等。

              應用領域:

              單晶薄膜外延(SrTiO3,LaAlO3

              壓電薄膜(PZT,AlN,BiFeO3,BaTiO3

              鐵電薄膜(BaTiO3,KH2PO4

              熱電薄膜(SrTiO3

              金屬和化合物薄膜電極(Ti,Ag,Au,Pt,Ni,Co,SrRuO3,LaNiO3,YZrO2,GdCeO2,LaSrCoFeO3

              半導體薄膜(Zn(Mg)O,AlN,SrTiO3

              高K介質薄膜(HfO2,CeO2,Al2O3,BaTiO3,SrTiO3,PbZrTiO3,LaAlO3,Ta2O5

              超導薄膜(YBa2CuO7-x,BiSrCaCuO)

              光波導,光學薄膜(PZT,AlN,BaTiO3,Al2O3,ZrO2,TiO2

              超疏水薄膜(PTFE)

              紅外探測薄膜(V2O5,PZT)

              外延薄膜展示

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