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            脈沖激光沉積系統

            • 脈沖激光沉積/激光分子束外延系統
            • 脈沖激光沉積/激光分子束外延系統
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            脈沖激光沉積/激光分子束外延系統

            • PLD
            • LMBE
            • 產品描述:荷蘭TSST公司提供專業的脈沖激光沉積系統和激光分子束外延系統。
            • 在線訂購

            荷蘭Twente Solid State Technology BV(TSST)公司專注于為用戶提供定制化的脈沖激光沉積系統(PLD),以及相關薄膜制備解決方案,公司具有20多年研究與生產脈沖激光沉積系統的經驗。

            TSST與世界最大的納米與微系統技術研究中心之一荷蘭Twente大學MESA+ Institute保持著密切合作,開發出各種脈沖激光沉積技術中需要使用的核心技術。

            脈沖激光沉積原理:在真空環境下利用脈沖激光對靶材表面進行轟擊,利用激光產生的局域熱量將靶材物質轟擊出來,再沉積在不同的襯底上,從而形成薄膜。

            PLD工作原理圖

            激光分子束外延系統(LMBE),是在PLD的基礎上發展起來的外延薄膜生長技術。

            在高氧氣壓力環境下實現RHEED原位監控,曾是RHEED分析的一個重要難題,TSST第一個提出差分抽氣的方式實現高壓環境下RHEED原位監控---TorrRHEED,TSST是TorrRHEED的發明人,在系統制造和RHEED的使用,以及結果分析方面,有豐富的經驗。

            標準激光分子束外延系統 (LMBE)


            脈沖激光沉積技術適合做的薄膜包括各種多元氧化物,氮化物,硫化物薄膜,金屬薄膜,磁性材料等。

            應用領域:

            單晶薄膜外延(SrTiO3,LaAlO3

            壓電薄膜(PZT,AlN,BiFeO3,BaTiO3

            鐵電薄膜(BaTiO3,KH2PO4

            熱電薄膜(SrTiO3

            金屬和化合物薄膜電極(Ti,Ag,Au,Pt,Ni,Co,SrRuO3,LaNiO3,YZrO2,GdCeO2,LaSrCoFeO3

            半導體薄膜(Zn(Mg)O,AlN,SrTiO3

            高K介質薄膜(HfO2,CeO2,Al2O3,BaTiO3,SrTiO3,PbZrTiO3,LaAlO3,Ta2O5

            超導薄膜(YBa2CuO7-x,BiSrCaCuO)

            光波導,光學薄膜(PZT,AlN,BaTiO3,Al2O3,ZrO2,TiO2

            超疏水薄膜(PTFE)

            紅外探測薄膜(V2O5,PZT)

            外延薄膜展示

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